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IEEE Transactions on Electron Devices
eISSN: 1557-9646pISSN: 0018-9383
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目的と範囲
IEEE Transactions on Electron Devices (T-ED) is a monthly peer-reviewed scientific journal publishes original and significant contributions relating to the theory, modeling, design, performance and reliability of electron and ion integrated circuit devices and interconnects, involving insulators, metals, organic materials, micro-plasmas, semiconductors, quantum-effect structures, vacuum devices, and emerging materials with applications in bioelectronics, biomedical electronics, computation, communications, displays, microelectromechanics, imaging, micro-actuators, nanoelectronics, optoelectronics, photovoltaics, power ICs and micro-sensors. Tutorial and review papers on these subjects are also published and occasional special issues appear to present a collection of papers which treat particular areas in more depth and breadth. Less
主要な指標
CiteScore 
5.3
Impact Factor
< 5
SJR
Q1Electrical and Electronic Engineering
SNIP
1.36
ジャーナル概要
Indexed in the following public directories
Scopus 
SJR
概要
- 出版社IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
- 言語English
- 発行頻度Monthly
基本情報
- 言語English
- 発行頻度Monthly
- 創刊年1954
- Publisher URL
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提供元
トピックス
Heterojunction
Breakdown voltage
Oxide
MOSFET
Simulation
CMOS
Contact resistance
Surface roughness
Photodiode
Broadband
Gate dielectric
Low voltage
Experimental data
Resistive switching
Irradiation
Biosensor
Threshold voltage
Electron mobility
Room temperature
Flash memory
年刊
- 5Y
- 10Y
よくある質問
IEEE Transactions on Electron Devices の創刊はいつですか。 
IEEE Transactions on Electron Devices の創刊は 1954 年です。
IEEE Transactions on Electron Devices の発行頻度は。
IEEE Transactions on Electron Devices の発行頻度は Monthlyです。
IEEE Transactions on Electron Devicesの出版社はどこですか。
IEEE Transactions on Electron Devices の出版社はIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INCです。
IEEE Transactions on Electron Devicesの出版方針と研究範囲はどこで確認できますか。
IEEE Transactions on Electron Devicesの出版方針と研究範囲は本ページ上部で確認できます。
IEEE Transactions on Electron Devicesの指標はEditage内のどこで確認できますか。
IEEE Transactions on Electron Devices の主な指標はEditage内の本ページ上部で確認できます。
IEEE Transactions on Electron DevicesのeISSNとpISSN番号はなんですか。
IEEE Transactions on Electron DevicesのeISSN番号は1557-9646、pISSN番号は 0018-9383です。
このジャーナルのメインとぴっくはなんですか。
このジャーナルはHeterojunction, Breakdown voltage, Oxide, MOSFET, Simulation, CMOS, Contact resistance, Surface roughness, Photodiode, Broadband, Gate dielectric, Low voltage, Experimental data, Resistive switching, Irradiation, Biosensor, Threshold voltage, Electron mobility, Room temperature, Flash memoryを含むトピックに対応しています。
研究内容に合った適切なジャーナルを選ばなければならない理由は何ですか。
適切なジャーナルを選ぶことで、あなたの研究内容がもっと関連性が高い読者層に届き、研究のインパクトやその分野への貢献度を最大化させることができるからです。
どのジャーナルを選ぶかは今後のキャリアに影響を与えますか。
はい、著名なジャーナルから出版することは、あなたの経歴にもプラスに働くため、その後の助成金やキャリアプランにも影響があります。
よりハイインパクトのジャーナルを狙うべきですか。
ハイインパクトジャーナルから出版することはより多くの人の目に研究が触れることになりますが、同時に高い競争率の中から出版に漕ぎつける必要があります。そのため、インパクトファクターと出版にかかる工数のバランスを考慮するべきです。