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IEEE Electron Device Letters
eISSN: 1558-0563pISSN: 0741-3106
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8.5
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0.01 - 0.05
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< 5
SJR
Q1Electrical and Electronic Engineering
SNIP
1.65
ジャーナル概要
概要
- 出版社IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
- 言語English
- 発行頻度Monthly
基本情報
- 言語English
- 発行頻度Monthly
- 創刊年1980
- Publisher URL
- ウェブサイトURL
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トピックス
Electric field
Breakdown voltage
Gate dielectric
Room temperature
Simulation
Heterojunction
Ultraviolet
Contact resistance
Performance improvement
Pressure sensor
Subthreshold swing
Vertical integration
Gate control
Imaging array
Resistive switching
Dual gate
Silicon carbide
Editorial board
Surface acoustic wave
Atomic layer deposition
年刊
- 5Y
- 10Y
よくある質問
IEEE Electron Device Letters の創刊はいつですか。 
IEEE Electron Device Letters の創刊は 1980 年です。
IEEE Electron Device Letters の発行頻度は。
IEEE Electron Device Letters の発行頻度は Monthlyです。
IEEE Electron Device Lettersの出版社はどこですか。
IEEE Electron Device Letters の出版社はIEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INCです。
IEEE Electron Device Lettersの指標はEditage内のどこで確認できますか。
IEEE Electron Device Letters の主な指標はEditage内の本ページ上部で確認できます。
IEEE Electron Device LettersのeISSNとpISSN番号はなんですか。
IEEE Electron Device LettersのeISSN番号は1558-0563、pISSN番号は 0741-3106です。
このジャーナルのメインとぴっくはなんですか。
このジャーナルはElectric field, Breakdown voltage, Gate dielectric, Room temperature, Simulation, Heterojunction, Ultraviolet, Contact resistance, Performance improvement, Pressure sensor, Subthreshold swing, Vertical integration, Gate control, Imaging array, Resistive switching, Dual gate, Silicon carbide, Editorial board, Surface acoustic wave, Atomic layer depositionを含むトピックに対応しています。
研究内容に合った適切なジャーナルを選ばなければならない理由は何ですか。
適切なジャーナルを選ぶことで、あなたの研究内容がもっと関連性が高い読者層に届き、研究のインパクトやその分野への貢献度を最大化させることができるからです。
どのジャーナルを選ぶかは今後のキャリアに影響を与えますか。
はい、著名なジャーナルから出版することは、あなたの経歴にもプラスに働くため、その後の助成金やキャリアプランにも影響があります。
よりハイインパクトのジャーナルを狙うべきですか。
ハイインパクトジャーナルから出版することはより多くの人の目に研究が触れることになりますが、同時に高い競争率の中から出版に漕ぎつける必要があります。そのため、インパクトファクターと出版にかかる工数のバランスを考慮するべきです。